这里就STM32L053芯片的FLASH编程做一个简单的演示和一些提醒，供有需要的人参考。
一般来说，FLASH编程主要包括擦除、代码编程和选项字修改，以下不涉及选项编程。STM32L0芯片的擦除不仅支持整页擦除，还支持分页擦除。每页的大小是128字节，也就是32个字。编程可以通过字或半页[64字节]来完成。单页擦除、单字编程、半页编程的时间是一样的，都是3.2ms左右，芯片数据手册里也说的很清楚。
这里有两个提醒。第一，在擦除或编程时，要注意地址对齐的问题。擦除一页时，地址要按128字节对齐，编程一个字时，按4字节对齐，编程半页时，按64字节对齐。还有一点就是在做半页编程的时候，半页编程的执行代码要放在RAM里，这也是手册里强调的。
下面演示字编程、页编程和页擦除的操作。这里我先用字编程模式写五个字，然后用半页编程模式FLASH编程五页半，记录下他们所花的时间，看看字编程时间和半页编程是否一致。另外，在编程完五页半后，进行一次页面擦除操作，擦除刚编程完的五页半中的一页，也就是最后应该只剩下三页半(注:对于STM32L0系列芯片，擦除后内部FLASH全为零)。
下面的代码截图是基于STM32Cube库整理的，主要涉及三个操作:字编程、半页编程、页擦除，对应三个带绿色下划线的库函数。
其中半页编程的执行代码需要配置到RAM中才能运行。另外，Period1和Period2用于分别存储写5个字和5个半页的编程时间，并放在指定的FLASH位置。编译运行后，我们可以看到以下结果:
上面的截图是芯片内部一些FLASH空运行后的内容。五个红框包围的数据是五个字编程的结果，蓝框的数据是五页半编程的结果，但最后只看到三页半的编程内容，因为页擦除操作后后面两页半的内容消失了。
用于计算编程时间的定时器的计数频率为1MHz。显然，周期1和周期2基本相等，将它们除以5得到的编程时间是3.3 ms..显然，在编写批处理代码时，使用半页编程效率更高。
前面说过，在做半页编程的时候，它的执行代码需要放到RAM中才能运行，代码在STM32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c中。对于不同的ide，实现该操作略有不同。这里是一个基于ARM MDK的简单配置，分区点RAM用于它。
STM32L0系列FLASH编程的演示在这里，希望可以帮助有需要的人节省一些时间和精力。
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